Ежедневные новости Главные новости дня России,Украины

Сброс настроек

Сбросить Добавить Ежедневные новости в закладки (избранное).  
Добавить в избранное

Samsung расскрыла подробности о 10-нм SRAM техпроцессе

  • Samsung расскрыла подробности о 10-нм SRAM техпроцессе
  • Смотрите также:

Компания Samsung в рамках международной полупроводниковой конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) впервые представила подробности о своей новой 10n-нм finFET технологии и 128-Мбит чипах SRAM, выпускаемых с её применением.


В настоящее время статическая память (SRAM) занимает не менее 30% площади современных мобильных процессоров, и уменьшение размеров транзисторов и габаритов ячейки памяти при переходе на нормы 10-нм техпроцесса только приветствуется. По данным Samsung, оптимизированная 6T битовая ячейка памяти в чипе SRAM, изготовленном с соблюдением норм 10-нм техпроцесса, занимает на 38% меньшую площадь нежели аналогичная ячейка при 14-нм техпроцессе, то есть, 0,040 кв. мм против 0,049 кв. мм.

Однако при переходе на более прецизионные нормы появляются новые проблемы, связанные, главным образом, с небольшим питающим напряжением и недостаточно высокой мощностью тока. Несмотря на рост производительности и экономичность 10-нм finFET чипов, внутреннее сопротивление цепей остаётся примерно на том же уровне, что у 14-нм техпроцесса, и даже увеличивается при переходе к 7-нм нормам.


В документе, представленном Samsung на ISSCC, описывается 2-проходная техника формирования проводящих линий, благодаря чему минимальный уровень напряжения для 10-нм чипов SRAM удалось снизить до 45 мВ для блоков с высоким током и до 130 мВ для блоков с высокой плотностью компонентов. Минимальный вольтаж без этой техники в документе не обозначен. Также, к сожалению, нет никаких уточнений по поводу степени снижения потребления энергии и увеличения скорости при переходе на 10-нм нормы, и в какой степени они сочетаются с 38% уменьшением площади чипа SRAM. На словах представители Samsung ограничились лишь определением аналогичный прирост производительности по сравнению с предыдущим переходом на 14-нм техпроцесс.

В рамках ISSCC представители Samsung рассказывали о втором поколении 10-нм finFET, однако пока речь о тестовых образцах. Samsung планирует приступить к массовому производству 10-нм finFET чипов SRAM ближе к концу 2016 года.

Самое читаемое сегодня


Категория: Новости Hi-Tech | |

Подписка на RSS рассылку Samsung расскрыла подробности о 10-нм SRAM техпроцессе


Написать комментарий

Оставлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.