Ежедневные новости Главные новости дня России,Украины

Сброс настроек

Сбросить Добавить Ежедневные новости в закладки (избранное).  
Добавить в избранное

«Роснано» осталось без американского оборудования для изготовления чипов

  • «Роснано» осталось без американского оборудования для изготовления чипов
  • Смотрите также:

После введения властями США ограничений на поставку в Россию так называемых технологий двойного назначения американская корпорация Applied Materials отказалась поставлять «Роснано» оборудование для завода по производству микросхем MRAM-памяти, заявил в интервью ИТАР-ТАСС глава Роснано Анатолий Чубайс. Проект строительства завода реализует международный консорциум с участием Роснано.

Мы находимся на завершающей стадии строительства крупного предприятия Крокус наноэлектроника в технополисе Москва по производству магниторезистивой памяти (MRAM). Часть оборудования должна была поставить американская Applied Materials, но отказалась, - пояснил Чубайс.

Глава Роснано подчеркнул, что отказ американцев от сотрудничества не привел к срыву пуска завода. О поставке необходимого оборудования договорились с поставщиком из Китая.

Это пример, когда мы сумели быстро найти решение, - заключил глава Роснано.

Напомним, что первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров компания Крокус Наноэлектроника - совместное предприятие Роснано и Crocus Technology - запустила в октябре 2013 года.

Общий объем инвестиций в проект превышает 200 млн евро, включая софинансирование Роснано в размере 100 млн евро. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит $8 млрд.

Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания. Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость считывания и записи информации и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.


Самое читаемое сегодня


Категория: Новости экономики | |

Подписка на RSS рассылку «Роснано» осталось без американского оборудования для изготовления чипов


Написать комментарий

Оставлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.