Ежедневные новости Главные новости дня России,Украины

Сброс настроек

Сбросить Добавить Ежедневные новости в закладки (избранное).  
Добавить в избранное

SK Hynix раскрыла подробности техпроцесса, используемого для выпуска 16-нанометровой флэш-памят ...

  • SK Hynix раскрыла подробности техпроцесса, используемого для выпуска 16-нанометровой флэш-памят ...
  • Смотрите также:

SK Hynix раскрыла подробности техпроцесса, используемого для выпуска 16-нанометровой флэш-памяти NAND

На мероприятии International Electron Devices Meeting (IEDM) 2013, которое прошло в первой половине месяца в Вашингтоне, компания SK Hynix раскрыла некоторые подробности технологии производства флэш-памяти типа MLC NAND по нормам 16 нм (Middle-1X или M1X). Напомним, сообщение о том, что эта технология используется в массовом производстве, появилось на сайте производителя еще в ноябре.

В 16-нанометровых чипах SK Hynix использует технологию Air-Gap. Причем зазоры формируются не только в направлении, соответствующем расположению ячеек, но и в направлении слов данных (между линиями отдельных разрядов). К другим особенностям относятся управляющие структуры, легированные для получения проводимости p-типа, и плавающие затворы высокой плотности. Эти меры позволили уменьшить взаимное влияние между ячейками памяти.

Новая технология является развитием технологии, представленной на IEDM в 2011 году. Тогда для уменьшения взаимного влияния ячеек была увеличена площадь управляющего затвора и уменьшена ширина плавающего затвора в направлении линий слов данных, а для уменьшения взаимовлияния между линиями данных был увеличен воздушный зазор межу затворами, что препятствовало утечке заряда из плавающего затвора.

Во втором поколении технологии внесено два значительных улучшения.

Во-первых, как уже было сказано выше, воздушные зазоры добавлены в направлении линий слов данных, что позволило дополнительно уменьшить влияние примерно на 1/3.

Во-вторых, используется новая структура с управляющим и плавающим затворами p-типа. Это изменение предотвращает флуктуации порогового напряжения, вызванные напряжением, прикладываемым к соседним линиям слов данных при чтении.

По данным производителя, предпринятые меры позволили получить показатели надежности и времени хранения, эквивалентные показателям техпроцесса 2Ynm.

Источник: Tech-On!


Самое читаемое сегодня


Категория: Новости Hi-Tech | |

Подписка на RSS рассылку SK Hynix раскрыла подробности техпроцесса, используемого для выпуска 16-нанометровой флэш-памят ...


Написать комментарий

Оставлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.