Ежедневные новости Главные новости дня России,Украины

Сброс настроек

Сбросить Добавить Ежедневные новости в закладки (избранное).  
Добавить в избранное

Япония и США: совместные разработки MRAM микросхем

  • Япония и США: совместные разработки MRAM микросхем
  • Смотрите также:

Более 20 японских и американских производителей микросхем договорились объединить усилия для разработки технологии, которая положила бы начало серийному производству микросхем MRAM памяти нового поколения. Вести проект будут две компании: американская Micron Technology и японская Tokyo Electron. Они надеются закончить разработку в течении трех лет и наладить массовое производство чипов уже к 2018 году.

MRAM (магниторезистивная оперативная память) — это запоминающее устройство с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных элементов памяти, а не электрических зарядов. Это и отличает ее от лидирующих на рынке электроники флэш или DRAM (динамическая память с произвольным доступом) памяти.

Новая технология предусматривает увеличение объемов памяти в 10 раз (по сравнению с DRAM) и уменьшению потребляемого питания примерно до 2/3 существующего.

Кроме того, если сравнить ее с флэш-памятью, MRAM так же выигрывает в быстроте и не страдает деградацией по прошествии времени. Эта комбинация свойств может сделать её «универсальной памятью».

В наше время стремительно развивающихся технологий спрос к большим объемам и быстродействию элементов памяти растет. Именно поэтому сейчас существует так много различных исследований, направленных на разработку именно MRAM.


Самое читаемое сегодня


Категория: Новости науки | |

Подписка на RSS рассылку Япония и США: совместные разработки MRAM микросхем


Написать комментарий

Оставлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.